一種用于半導體廢氣處理的除濕裝置的制作方法

一種用于半導體廢氣處理的除濕裝置的制作方法

　　1.本實用新型涉及半導體廢氣處理技術領域，尤其涉及一種用于半導體廢氣處理的除濕裝置。背景技術：2.一般來說，半導體工藝包括各種工藝，例如攝影、擴散、蝕刻、化學氣相沉積和金屬沉積，上述工藝在硅襯底上反復進行，在這些工藝上，進行擴散，蝕刻和化學沉積以致將處理氣體供給到密閉工藝室以在晶片上反應。3.另一方面，用于半導體制造工藝的氣體具有強烈的特性，例如毒性、燃燒性和腐蝕性。制造設備的工藝中，僅僅10％左右的處理氣體參與了反應，處于未反應狀態的剩余90％從制造設備中排除。排除的氣體需要經過燃燒、水洗、吸附等一系列處理。4.半導體廢氣經過localscrubber(廢氣處理設備)處理，處理過程中會經過水洗塔，水洗塔安裝有噴頭，對其進行水洗降溫，除塵，處理后的廢氣濕度大，水汽會隨著廢氣進入到廠務酸排管路中，長時間后，廠務酸排管路中會積水，影響系統負壓，同時水呈酸性，增加酸排管路被腐蝕的風險。技術實現要素：5.本實用新型旨在解決現有技術中存在的技術問題。為此，本實用新型提供一種用于半導體廢氣處理的除濕裝置，目的是降低水洗塔排出廢氣的濕度。6.基于上述目的，本實用新型提供了一種用于半導體廢氣處理的除濕裝置，包括除濕桶、用于向除濕桶內通入冷卻氣體的氣冷卻裝置和用于將除濕桶冷凝后的水回流向水箱的回流結構，所述除濕桶包括設于水洗塔外側的除濕外桶和除濕內桶，所述除濕外桶的外進氣口與水洗塔頂端排氣口連接，所述除濕內桶的上下端分別設有酸排口和內進氣口，所述除濕外桶與除濕內桶之間具有連通外進氣口及內進氣口的氣體流通空間。7.所述氣體流通空間與除濕外桶的外進氣口及所述內進氣口之間形成上進下出的氣流導向結構。8.所述除濕內桶的上部穿過除濕外桶的頂部向上延伸，且除濕內桶與除濕外桶同軸設置。9.所述除濕外桶的外進氣口通過連接管與水洗塔頂端排氣口連接，所述氣冷卻裝置包括氣冷卻彎管和氮氣源，所述氣冷卻彎管的一端穿過水冷塔的頂部向外延伸并與氮氣源連接，氣冷卻彎管的另一端穿過連接管及除濕外桶的外進氣口延伸入除濕外桶內。10.所述回流結構包括豎向回流管和折彎回流管，豎向回流管的兩端分別與除濕外桶的底端和折彎回流管的一端連接，所述折彎回流管的另一端與水箱連接。11.所述豎向回流管的上下端均為倒梯形結構。12.所述水洗塔包括設于水箱上且由下到上依次設置的水洗溢流塔、一級水洗塔、二級水洗塔和塔頂，所述水洗溢流塔、一級水洗塔和二級水洗塔內均設有噴嘴。分別通過相應輸送管路將水輸送向水洗溢流塔、一級水洗塔和二級水洗塔內的噴嘴進行噴淋洗滌。13.本實用新型的有益效果：本實用新型通過在水洗塔的排氣口處增設除濕裝置，通過通入冷氮氣對除濕內桶降溫，使得進入的廢氣降溫，廢氣中的水汽冷凝形成液滴從除濕桶的內壁向下匯集并回流向水桶內，從而降低廢氣的相對濕度，達到除濕效果，減少水汽進入到酸排管路中，進而減少冷卻水在廠務酸排管路中積存，降低管路被腐蝕風險，同時可將系統負壓維持在正常范圍內，延長pm周期。通過在除濕桶設置成內外桶結構以及相應特殊的進氣出氣結構設置，增加了水汽在除濕桶的滯留時間，提高了除濕效果。附圖說明14.為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。15.圖1為本實用新型的結構示意圖；16.圖2為本實用新型的剖視圖；17.圖3為本實用新型氣冷卻彎管的結構示意圖。18.圖中標記為：19.1、水箱；2、水洗塔；21、水洗溢流塔；22、一級水洗塔；23、二級水洗塔；24、塔頂；25、一級噴嘴；26、二級噴嘴；27、第一噴嘴；3、除濕桶；31、除濕外桶；32、除濕內桶；4、豎向回流管；5、折彎回流管；6、冷卻裝置；61、氣冷卻彎管；7、酸排口。具體實施方式20.為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，并參照附圖，對本實用新型進一步詳細說明。21.需要說明的是，除非另外定義，本實用新型實施例使用的技術術語或者科學術語應當為本公開所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。22.如圖1至圖3所示，一種用于半導體廢氣處理的除濕裝置，包括除濕桶3、用于向除濕桶3內通入冷卻氣體的氣冷卻裝置6和用于將除濕桶3冷凝后的水回流向水箱1的回流結構，除濕桶3包括設于水洗塔2外側的除濕外桶31和除濕內桶32，除濕外桶31的外進氣口與水洗塔2頂端排氣口連接，除濕內桶32的上下端分別設有酸排口7和內進氣口，除濕外桶31與除濕內桶32之間具有連通外進氣口及內進氣口的氣體流通空間。通過在水洗塔的排氣口處增設除濕裝置，通過通入冷氮氣對除濕內桶降溫，使得進入的廢氣降溫，廢氣中的水汽冷凝形成液滴從除濕桶的內壁向下匯集并回流向水桶內，從而降低廢氣的相對濕度，達到除濕效果。23.為了進一步增加水汽的滯留降溫時間，氣體流通空間與除濕外桶31的外進氣口及所述內進氣口之間形成上進下出的氣流導向結構。具體而言，除濕內桶的底部進氣口位于除濕外桶的底部，除濕外桶的上端設置外進氣口，使得從水洗塔頂部排氣口排出的氣體從除濕外桶頂部進入，之后從除濕外桶底部的除濕內桶進氣口進入，然后廢氣從除濕內桶向上流向酸排口排出。此種結構設置，極大的增加了水汽的滯留時間，使得氣冷卻裝置能夠更好的對水汽進行降溫，達到水氣凝結、減少水氣效果。24.為了進一步優化結構設置，除濕內桶32的上部穿過除濕外桶31的頂部向上延伸，且除濕內桶32與除濕外桶31同軸設置。25.本實施例中，除濕外桶31的外進氣口通過連接管與水洗塔2頂端排氣口連接，氣冷卻裝置6包括氣冷卻彎管61和氮氣源，氣冷卻彎管61的一端穿過水冷塔的頂部向外延伸并與氮氣源連接，氣冷卻彎管61的另一端穿過連接管及除濕外桶31的外進氣口延伸入除濕外桶31內。此種結構設置，減少了氣冷卻裝置的占有空間，使得整個除濕裝置結構更加緊湊。26.如圖1和圖2所示，回流結構包括豎向回流管4和折彎回流管5，豎向回流管4的兩端分別與除濕外桶31的底端和折彎回流管5的一端連接，所述折彎回流管5的另一端與水箱1連接。從除濕桶冷凝后的水流入豎向回流管，之后經過折彎回流管回流入水箱內。優選，豎向回流管4的上下端均為倒梯形結構。此種結構設置，能夠使得冷凝后的水更好的向下導向流動。27.如圖1和圖2所示，水洗塔2包括設于水箱1上且由下到上依次設置的水洗溢流塔21、一級水洗塔22、二級水洗塔23和塔頂24，水洗溢流塔、一級水洗塔22和二級水洗塔23內均設有噴嘴。設置時，溢流塔內設置第一噴嘴27，一級水洗塔內設置有一級噴嘴25和過濾材料，二級水洗塔內設有二級噴嘴26和過濾材料，進入水洗塔內的廢氣經過一級水洗塔及二級水洗塔的處理后，經過塔頂側壁的連接管流向除濕桶內。28.處理過程如下：半導體廢氣從反應腔處理后，進入到水箱1，在系統負壓的驅動下，進入到水洗溢流塔21，同時經過第一噴嘴，對廢氣進行第一次噴淋洗滌，隨后進入到一級水洗塔22、二級水洗塔23，進行第二、三次噴淋，此時廢氣中濕度較大，經過水洗塔上部(塔頂)的排氣口，進入到除濕桶，增加了水氣在localscrubber滯留的時間，利用氣冷卻裝置，通入一定量的冷氮氣，經過氣冷卻彎管，利用airpurge方式降低除濕桶的內部溫度以降低相對濕度，冷卻水會沿除濕桶內壁流進入水箱，從而減少水汽，廢氣最后由酸排口7排出。29.所屬領域的普通技術人員應當理解：以上任何實施例的討論僅為示例性的，并非旨在暗示本公開的范圍(包括權利要求)被限于這些例子；在本實用新型的思路下，以上實施例或者不同實施例中的技術特征之間也可以進行組合，步驟可以以任意順序實現，并存在如上所述的本實用新型的不同方面的許多其它變化，為了簡明它們沒有在細節中提供。30.本實用新型的實施例旨在涵蓋落入所附權利要求的寬泛范圍之內的所有這樣的替換、修改和變型。因此，凡在本實用新型的精神和原則之內，所做的任何省略、修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。